SAMSUNG SSD interno M.2 NVMe PCIe 4.0 con disipador 990-PRO-HEATSINK 2TB 7450MB/S DSP0000028625 imagini
Plată securizată
Card, Bizum, transfer bancar și finanțare. SSL pe toate paginile.
Livrare în toată lumea
Stoc disponibil pentru livrare cu tarife competitive. Verifică termenul de livrare pentru zona ta.
Asistență personalizată
Sună-ne la 948 088 505 sau scrie-ne. Îți răspundem la întrebări și te ajutăm cu comanda.
SAMSUNG SSD interno M.2 NVMe PCIe 4.0 con disipador 990-PRO-HEATSINK 2TB 7450MB/S DSP0000028625
LivrareSe actualizează termenul de livrare…Comandă în următoarele — pentru a-l primi aproximativ Se actualizează termenul de livrare…
Se actualizează termenul de livrare…
Cuándo es más probable que llegue
Calculado con 0 entregas recientes
Fechas estimadas para España peninsular; se ajustarán con tu código postal y forma de entrega.
Data corespunde articolului cu cel mai lung termen de livrare
IVA intracomunitario
La exención intracomunitaria puede aplicarse a una entrega a otro Estado miembro si el NIF-IVA es válido y el destino cumple los requisitos. La comprobación por sí sola no determina el tratamiento fiscal.
Cómo se comprueba el IVA¿Eres profesional del sector?
Puedes solicitar una cuenta profesional e indicar los datos de tu actividad. La solicitud queda pendiente de revisión; puedes consultar su estado en tu cuenta.
Más información sobre cuentas profesionalesCanarias, Ceuta y Melilla sin IVA español
El tratamiento depende del destino de entrega y de la coherencia de la dirección. Pueden corresponder IGIC, IPSI, aranceles u otros cargos locales.
Más información sobre destinos e impuestosMarca Samsung
Model MZ-V9P2T0GW
Tipo - SSD
CAPACITATE - 2 TB
FORMAT - M.2 2280
Conexión - PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Rendimiento - Lectura secuencial: 7,450 MB/s
- Scriere secvențială: 6,900 MB/s
- Citire aleatorie (4KB, QD32): 1,200,000 IOPS
- Scriere aleatorie (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS
- Citire aleatorie (4KB, QD1): 22,000 IOPS
- Scriere aleatorie (4KB, QD1): 80,000 IOPS
Caracteristici - Memorie de stocare: Samsung V-NAND 3-bit MLC
- Controllerul: Controlul intern Samsung
- Cache de memorie: Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
- Suport TRIM
- Suport S.M.A.R.T
- GC (Garbage Collection): Algoritm automat de colectare a gunoaielor
- Criptare: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
- Suport Mod suspensie pe dispozitiv
Entorno
- Consum energetic mediu : 5.5- 8.5 W
- Consum energetic (inactiv): Max. 55 mW
- Tensiune suportată : 3.3 V 5 %
- Durabilitate (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
- Temperatură : 0 - 70ºC
- Lovituri: 1.500 G & 0,5 ms
Dimensiuni și greutate
- 80 x 24.3 x 8.2 mm
- Max. 28,0 g
Volumen (m ³): 0.0002
- Marcă
- SAMSUNG
- Referință
- DSP0000028625
- EAN-13
- 8806094594652
- Greutate
- 0,2 kg
