SAMSUNG SSD interno M.2 NVMe PCIe 4.0 con disipador 990-PRO-HEATSINK 2TB 7450MB/S DSP0000028625 Imatges
Pagament segur
Targeta, Bizum, transferència i finançament. SSL a totes les pàgines.
Enviaments a tot el món
Estoc disponible per enviar amb tarifes competitives. Consulta el termini de lliurament per a la teva zona.
Atenció personalitzada
Truca'ns al 948 088 505 o escriu-nos. Resolem dubtes i t'ajudem amb la comanda.
SAMSUNG SSD interno M.2 NVMe PCIe 4.0 con disipador 990-PRO-HEATSINK 2TB 7450MB/S DSP0000028625
LliuramentS’està actualitzant el termini de lliurament…Demana'l en les properes — per rebre'l aproximadament S’està actualitzant el termini de lliurament…
S’està actualitzant el termini de lliurament…
Cuándo es más probable que llegue
Calculado con 0 entregas recientes
Fechas estimadas para España peninsular; se ajustarán con tu código postal y forma de entrega.
La data correspon a l’article amb el termini de lliurament més llarg
IVA intracomunitario
La exención intracomunitaria puede aplicarse a una entrega a otro Estado miembro si el NIF-IVA es válido y el destino cumple los requisitos. La comprobación por sí sola no determina el tratamiento fiscal.
Cómo se comprueba el IVA¿Eres profesional del sector?
Puedes solicitar una cuenta profesional e indicar los datos de tu actividad. La solicitud queda pendiente de revisión; puedes consultar su estado en tu cuenta.
Más información sobre cuentas profesionalesCanarias, Ceuta y Melilla sin IVA español
El tratamiento depende del destino de entrega y de la coherencia de la dirección. Pueden corresponder IGIC, IPSI, aranceles u otros cargos locales.
Más información sobre destinos e impuestosMarca Samsung
Model MZ-V9P2T0GW
Tipo - SSD
Capacitat - 2 TB
Format - M.2 2280
Conexión - PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Rendimiento - Lectura secuencial: 7,450 MB/s
- Escriptura seqüencial: 6,900 MB/s
- Lectura aleatòria (4KB, QD32): 1,200,000 IOPS
- Escriptura aleatòria (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS
- Lectura aleatòria (4KB, QD1): 22,000 IOPS
- Escriptura aleatòria (4KB, QD1): 80,000 IOPS
Característiques - Memòria d'emmagatzematge: Samsung V-NAND 3-bit MLC
- Controlador: Controlador intern de Samsung
- Memòria cau: Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
- Suport TRIM
- Suport S.M.A.R.T
- GC (Garbage Collection): Algoritme automàtic de recol·lecció de brossa
- Xifrat: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
- Suport Mode Suspensió en dispositiu
Entorno
- Consum energètic mitjà : 5.5- 8.5 W
- Consum energètic (inactiu): Màx. 55 mW
- Tensió suportada : 3.3 V 5 %
- Durabilitat (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
- Temperatura : 0 - 70ºC
- Cops: 1.500 G & 0,5 ms
Dimensions i pes
- 80 x 24.3 x 8.2 mm
- Màx. 28,0 g
Volum (m) ³): 0.0002
- Marca
- SAMSUNG
- Referència
- DSP0000028625
- EAN-13
- 8806094594652
- Pes
- 0,2 kg
