SAMSUNG SSD interno M.2 NVMe PCIe 4.0 con disipador 990-PRO-HEATSINK 2TB 7450MB/S DSP0000028625 obrazki
Bezpieczna płatność
Karta, Bizum, przelew i finansowanie. SSL na wszystkich stronach.
Wysyłka na cały świat
Towar dostępny do wysyłki w konkurencyjnych cenach. Sprawdź termin dostawy dla swojego regionu.
Indywidualna obsługa
Zadzwoń pod numer 948 088 505 lub napisz do nas. Rozwiejemy wątpliwości i pomożemy przy zamówieniu.
SAMSUNG SSD interno M.2 NVMe PCIe 4.0 con disipador 990-PRO-HEATSINK 2TB 7450MB/S DSP0000028625
DostawaAktualizowanie terminu dostawy…Zamów w ciągu — aby otrzymać około Aktualizowanie terminu dostawy…
Aktualizowanie terminu dostawy…
Cuándo es más probable que llegue
Calculado con 0 entregas recientes
Fechas estimadas para España peninsular; se ajustarán con tu código postal y forma de entrega.
Data dotyczy produktu o najdłuższym czasie dostawy
IVA intracomunitario
La exención intracomunitaria puede aplicarse a una entrega a otro Estado miembro si el NIF-IVA es válido y el destino cumple los requisitos. La comprobación por sí sola no determina el tratamiento fiscal.
Cómo se comprueba el IVA¿Eres profesional del sector?
Puedes solicitar una cuenta profesional e indicar los datos de tu actividad. La solicitud queda pendiente de revisión; puedes consultar su estado en tu cuenta.
Más información sobre cuentas profesionalesCanarias, Ceuta y Melilla sin IVA español
El tratamiento depende del destino de entrega y de la coherencia de la dirección. Pueden corresponder IGIC, IPSI, aranceles u otros cargos locales.
Más información sobre destinos e impuestosMarca Samsung
MODELO MZ-V9P2T0GW
Typ - SSD
POJEMNOŚĆ - 2 TB
FORMAT - M.2 2280
Conexión - PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
Rendimiento - Lectura secuencial: 7,450 MB/s
- Zapis sekwencyjny: 6,900 MB/s
- Odczyt losowy (4KB, QD32): 1,200,000 IOPS
- Pisanie losowe (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS
- Odczyt losowy (4KB, QD1): 22,000 IOPS
- Pisanie losowe (4KB, QD1): 80,000 IOPS
Cechy - Pamięć masowa: Samsung V-NAND 3-bit MLC
- Kontroler: Samsung wewnętrzny kontroler
- Pamięć cache: Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM
- Wsparcie TRIM
- Wsparcie S.M.A.R.T
- GC (Garbage Collection): Automatyczny algorytm czyszczenia pamięci
- Szyfrowanie: AES 256-bit Encryption (Class 0)TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive)
- Tryb zawieszenia na urządzeniu
Entorno
- Średni pobór energii : 5.5- 8.5 W
- Pobór energii (Bezczynność): Maks. 55 mW
- Napięcie znośne : 3.3 V 5 %
- Trwałość (MTBF): 1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
- Temperatura : 0 - 70ºC
- Wstrząsy: 1.500 G & 0,5 ms
Wymiary i waga
- 80 x 24.3 x 8.2 mm
- Maks. 28,0 g
Objętość (m ³): 0.0002
- Marka
- SAMSUNG
- Numer katalogowy
- DSP0000028625
- EAN-13
- 8806094594652
- Waga
- 0,2 kg
