SAMSUNG M.2-NVMe-SSD 990 EVO PLUS 1TB MZ-V9S1T0BW DSP0000028623 Bilder
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El tratamiento depende del destino de entrega y de la coherencia de la dirección. Pueden corresponder IGIC, IPSI, aranceles u otros cargos locales.
Más información sobre destinos e impuestosMarke Samsung
MODELL MZ-V9S1T0BW
KAPAZITÄT - 1TB
Schnittstelle - PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
Tamaño - M.2 (2280)
Leistung - Sequenzielles Lesen: bis zu 7150 MB/s
- Sequenzielles Schreiben: bis zu 6300 MB/s
- Zufälliges Lesen (4KB, QD32): bis zu 850.000 IOPS
- Zufälliges Schreiben (4KB, QD32): bis zu 1.350.000 IOPS
Merkmale - Cache-Speicher: HMB (Host Memory Buffer)
- TRIM-Unterstützung
- S.M.A.R.T.-Unterstützung
- GC (Garbage Collection): automatischer Garbage-Collection-Algorithmus
- VERSCHLÜSSELUNGSUNTERSTÜTZUNG
256-Bit-AES-Verschlüsselung (Klasse 0) TCG/Opal
IEEE1667 (verschlüsseltes Laufwerk)
- WWN-Unterstützung
- Unterstützung des Geräteschlafmodus
Fütterung
- Durchschnittlicher Stromverbrauch (Systemebene):
Durchschnitt: Lesen 4,3 W / Schreiben 4,2 W
- Stromverbrauch (Leerlauf): typisch 60 mW
- Energieverbrauch (Gerät im Standby): typisch 5 mW
- Zulässige Spannung: 3,3 V 5 % Zulässige Spannung
- Zuverlässigkeit (MTBF): Zuverlässigkeit von 1,5 Millionen Stunden (MTBF)
- Betriebstemperatur: 0 - 70 ºC Betriebstemperatur
- Stoß: 1.500 G und 0,5 ms (Halbsinus)
Dimensionen und Gewicht
- 80,15 x 22,15 x 2,38mm
- Max. 9 g
Volumen (m ³): 0.0003
- Marke
- SAMSUNG
- Referenz
- DSP0000028623
- EAN-13
- 8806095575674
- Gewicht
- 0,2 kg
